在快速發展的新型功率元件技術中，定義和驗證關鍵製造模組的可靠製程視窗至關重要——但耗時較長。傳統的實驗學習週期可能會顯著延長專案週期。
本次演講展示了一種創新方法，將 TCAD 模擬資料與 JMP 的尖端貝葉斯最佳化平台相結合，以高效地確定新一代功率 MOSFET 的最佳工作點—最大限度地減少對大量矽上學習週期的需求。
我們利用基於TCAD模擬建構的高斯過程模型，並藉助JMP的設計空間分析器，對因子空間內的響應曲面進行了全面探索，從而確定了所有關鍵性能參數的合格區域。這種數據驅動策略指導了我們透過JMP的自訂設計器設計第一個物理實驗，確保了實驗方案的高效性和針對性。
隨著電氣測試數據的獲取，這些數據將被整合起來，以完善和驗證預測模型，從而提高其準確性，並在技術平台開發中實現更快、更聰明的決策。
這項工作突顯了將先進的模擬技術與 JMP 的靈活分析功能相結合，以加速半導體製造領域的創新並降低開發風險的強大作用。
