在快速发展的新型功率器件技术中，定义和验证关键制造模块的可靠工艺窗口至关重要——但耗时较长。传统的实验学习周期可能会显著延长项目周期。
本次演讲展示了一种创新方法，该方法将 TCAD 仿真数据与 JMP 的尖端贝叶斯优化平台相结合，以高效地确定新一代功率 MOSFET 的最佳工作点——最大限度地减少对大量硅上学习周期的需求。
我们利用基于TCAD仿真构建的高斯过程模型，并借助JMP的设计空间分析器，对因子空间内的响应曲面进行了全面探索，从而确定了所有关键性能参数的合格区域。这种数据驱动策略指导了我们通过JMP的自定义设计器设计第一个物理实验，确保了实验方案的高效性和针对性。
随着电气测试数据的获取，这些数据将被整合起来，以完善和验证预测模型，从而提高其准确性，并在技术平台开发中实现更快、更智能的决策。
这项工作突显了将先进的仿真技术与 JMP 的灵活分析功能相结合，以加速半导体制造领域的创新并降低开发风险的强大作用。
