Los dispositivos y circuitos semiconductores son propensos al desgaste por envejecimiento, lo que provoca una degradación del rendimiento y fallos en los circuitos. La caracterización y el ajuste de márgenes para el envejecimiento son fundamentales para ofrecer productos de alta calidad. Los circuitos de E/S en chips semiconductores deben operar a voltajes más altos para ser compatibles con chips fabricados con tecnologías de generaciones anteriores. En nodos avanzados, no se pueden construir dispositivos de mayor voltaje debido a dificultades de escalabilidad. Por lo tanto, estos circuitos se construyen apilando dispositivos de menor voltaje. Si la división de voltaje no es uniforme, puede producirse un desgaste asimétrico y un fallo prematuro del circuito.
El Explorador de Datos Funcionales se utiliza para analizar espectros químicos. En este caso, la FDE se ha ampliado para modelar el cambio en el flanco descendente de la forma de onda de salida de un circuito de prueba VI/O de 3.3 V, construido con dispositivos nativos de 1.8 V, debido a la inyección de portadores calientes en un dispositivo del par apilado. Tradicionalmente, se genera un modelo de fiabilidad paramétrica para la degradación de la baja corriente de salida (IOL), que posteriormente se traduce en un parámetro de aplicación (tiempo de caída). Con la FDE, los cambios en la forma de onda y el tiempo de caída se pueden determinar directamente. El uso de componentes principales funcionales permite representar el sistema con menos parámetros, lo que contribuye a optimizar el modelo y a la predictibilidad.
