I dispositivi e i circuiti a semiconduttore sono soggetti a usura dovuta all'invecchiamento, con conseguente degrado delle prestazioni e guasti del circuito. La caratterizzazione e la marginazione per l'invecchiamento sono fondamentali per la fornitura di prodotti di alta qualità. I circuiti di I/O nei chip a semiconduttore devono funzionare a tensioni più elevate per garantire la compatibilità con i chip realizzati con tecnologie di vecchia generazione. Sui nodi avanzati, i dispositivi ad alta tensione non possono essere realizzati a causa di problemi di scalabilità. Pertanto, tali circuiti vengono realizzati impilando dispositivi a tensione inferiore. Se la ripartizione della tensione non è uniforme, possono verificarsi usura asimmetrica e guasti prematuri del circuito.
Functional Data Explorer viene utilizzato per analizzare gli spettri chimici. In questo caso, FDE è stato esteso per modellare la variazione del fronte di discesa della forma d'onda di uscita di un circuito di test VI/O 3.3, realizzato utilizzando dispositivi nativi da 1,8 V, dovuta all'iniezione di portatori caldi in un dispositivo della coppia impilata. Convenzionalmente, viene generato un modello di affidabilità parametrico per la degradazione della bassa corrente di uscita (IOL), che viene poi tradotto in un parametro applicativo (tempo di discesa). Con FDE, le variazioni della forma d'onda e del tempo di discesa possono essere determinate direttamente. L'uso di componenti principali funzionali consente di rappresentare il sistema con un numero inferiore di parametri, il che può contribuire a semplificare il modello e a migliorarne la prevedibilità.
