Les dispositifs et circuits semi-conducteurs sont sujets à l'usure liée au vieillissement, ce qui entraîne une dégradation des performances et des défaillances de circuit. La caractérisation et la prise en compte du vieillissement sont essentielles pour garantir la qualité des produits. Les circuits d'E/S des puces semi-conductrices doivent fonctionner à des tensions plus élevées pour assurer la compatibilité avec les puces fabriquées avec des technologies de génération précédente. Sur les nœuds technologiques avancés, la fabrication de dispositifs haute tension est impossible en raison des contraintes de miniaturisation. Par conséquent, ces circuits sont réalisés par empilement de dispositifs basse tension. Si la répartition de la tension n'est pas uniforme, une usure asymétrique et une défaillance prématurée du circuit peuvent survenir.
L'explorateur de données fonctionnelles (FDE) est utilisé pour analyser les spectres chimiques. Ici, le FDE a été étendu pour modéliser la variation du front descendant du signal de sortie d'un circuit de test d'E/S 3,3 V, construit avec des composants natifs de 1,8 V, due à l'injection de porteurs chauds dans un composant de la paire empilée. Classiquement, un modèle paramétrique de fiabilité est généré pour la dégradation du courant de sortie faible (IOL), puis converti en un paramètre d'application (temps de descente). Avec le FDE, les variations du signal et du temps de descente peuvent être déterminées directement. L'utilisation des composantes principales fonctionnelles permet de représenter le système par un nombre réduit de paramètres, ce qui simplifie le modèle et améliore sa prédictibilité.
