Dimensiones añadidas de dificultad: análisis de imágenes y visualización 3D en JMP
Hay una constante en la vida moderna. No, la muerte y los impuestos no cuentan. Esa constante es el deseo de la sociedad de dispositivos electrónicos de mayor rendimiento y menor precio. Es un problema del primer mundo, sin duda, pero la mayoría parecemos tenerlo. Una de las consecuencias de esta demanda del mercado es que los procesos de fabricación de semiconductores y MEMS ahora manipulan la materia a escala casi atómica. Esto no es trivial. Para complicar aún más las cosas, los dispositivos han comenzado recientemente a migrar de configuraciones planas 2D a configuraciones de circuitos apilados 3D. Este cambio ha permitido mejoras de rendimiento sin necesidad de reducir las dimensiones, a costa de una mayor complejidad de fabricación.
La transición a la fabricación 3D ha impactado muchos aspectos de la ciencia de la medición y el análisis de defectos. El análisis de defectos, en particular, ha pasado de ser un problema superficial, donde los defectos ocultos generalmente se consideraban irrelevantes, a un problema donde los defectos deben considerarse en todas las dimensiones espaciales. Esto significa que un mapa de defectos promedio ya no será suficiente. Necesitamos algo mejor. Este trabajo examinará el uso de técnicas de agrupamiento espacial y visualización multidimensional en JMP utilizando conjuntos de datos generados por dos sistemas de medición modernos con capacidad de generación de imágenes bidimensionales y tridimensionales. Estos sistemas de medición son la microscopía acústica de barrido y la difracción de rayos X.
