Nivel: Intermedio
John Como, ingeniero de procesos, Intel Corp.
En la fabricación de semiconductores, se utilizan máscaras para imprimir patrones en obleas durante el proceso de litografía. Las dimensiones del patrón en las máscaras de 6" son cuatro veces mayores que las del patrón impreso en las obleas de 12", por lo que se imprimen varios troqueles en una sola oblea. Un solo defecto en el patrón de la máscara puede provocar un troquel defectuoso repetido y costar millones al fabricante, por lo que es imperativo detectar y caracterizar los defectos de la máscara. A menudo, las máquinas de inspección de máscaras utilizan un sistema de coordenadas diferente al de las máquinas de inspección de obleas, y las distancias lineales en la máscara son cuatro veces mayores que en las obleas. Si se encuentra un defecto en la máscara, se debe realizar una tediosa conversión de las coordenadas de la máscara a las de la oblea para verificar si existe algún efecto. Esta aplicación interactiva, escrita en JSL, simplifica la conversión de coordenadas de un sistema a otro e incluso crea una imagen de la máscara, la oblea y la ubicación del defecto para facilitar la comparación con datos reales. Esta presentación cubrirá las matemáticas detrás de las conversiones y mostrará cómo se utilizó JSL para crear una aplicación para simplificar el cálculo.
