在半導體產業，晶圓內部不均勻性（WIW-NU）一直是量化薄膜性能的最關鍵指標。所生產的晶圓應均勻地滿足所需的薄膜性能要求。由於缺乏智慧的WIW-NU指標，我們在改善製程優化方面面臨巨大的挑戰。
基準 WIW-NU 指標只能提供晶圓圖和基本統計資料（例如平均值、標準差和範圍），無法識別真正的根本原因。因此，人們越來越需要建立更聰明的 WIW-NU 指標來縮短製程調整週期。
JMP用於將WIW-NU總偏差分解為四種製程失效模式：徑向、角度、偏心和異常值。採用的方法如下：
- 將原始資料轉換為所需的描述性統計資料。
- 定義 WIW-NU 標準。
- 進行假設均值檢定、常態性檢定和常態性違背模式檢定。
- 進行 GRR 和 Cpk/Ppk 檢測（晶圓是合理的子分組）。
- 透過相位（晶圓）建立 I-MR，Xbar-R 以捕捉特殊變化。
- 利用現代資料探勘技術擷取 WIW-NU 見解。
- 建立預測模型以指導電影工藝調整。
JMP WIW-NU專案顯著提高了流程最佳化效率，並縮短了流程開發週期。我們正在所有內部組織推廣這些方法，以提升整體績效並增強競爭優勢。
