增強 IC 封裝銅沉積的均鍍能力：使用 JMP 的預測模型具有精細特徵 (3 µm) 和較大面積 (77 µm) 的高密度 IC 封裝依靠在銅 (Cu) 沉積過程中保持 100% 的深鍍能力來實現最佳性能。本研究探討了長徑比、光亮劑濃度和電流密度如何影響銅沉積的深鍍能力。使用 JMP 分析實驗數據以確定最佳條件。結果顯示，在較低縱橫比、較高電流密度 (2 ASD) 和 0.7 ml/l 增白劑濃度下具有最大均鍍能力。預測模型表明，使用 1 ml/l 光亮劑、2 ASD 電流密度和 5:1 長寬比即可實現 97% 的均鍍能力。該研究強調了數據分析在優化先進 IC 封裝的銅沉積方面的重要性。
基礎資料分析與建模數據探索和視覺化
