提高 IC 封装铜沉积的均镀能力：使用 JMP 的预测模型具有精细特征（3 µm）和较大面积（77 µm）的高密度 IC 封装依赖于在铜 (Cu) 沉积期间保持 100% 的均镀能力以实现最佳性能。本研究检查了纵横比、光亮剂浓度和电流密度如何影响 Cu 沉积的均镀能力。使用 JMP 分析实验数据以确定最佳条件。结果表明，在较低的纵横比、较高的电流密度（2 ASD）和 0.7 ml/l 光亮剂浓度下，均镀能力最大。预测模型表明，使用 1 ml/l 光亮剂、2 ASD 电流密度和 5:1 纵横比可实现 97% 的均镀能力。该研究强调了数据分析在优化先进 IC 封装的 Cu 沉积方面的重要性。
基础数据分析与建模数据探索与可视化
