IC 패키지 Cu 증착의 Throwing Power 향상: JMP를 사용한 예측 모델미세한 특징(3µm)과 더 큰 면적(77µm)을 가진 고밀도 IC 패키지는 최적의 성능을 위해 구리(Cu) 증착 중에 100%의 스로잉 파워를 유지하는 데 의존합니다. 이 연구는 종횡비, 광택제 농도 및 전류 밀도가 Cu 증착 스로잉 파워에 어떤 영향을 미치는지 조사합니다. JMP를 사용하여 실험 데이터를 분석하여 최적의 조건을 결정했습니다. 결과는 더 낮은 종횡비, 더 높은 전류 밀도(2 ASD) 및 0.7ml/l 광택제 농도에서 최대 스로잉 파워를 보여줍니다. 예측 모델링은 1ml/l 광택제, 2 ASD 전류 밀도 및 5:1 종횡비로 97%의 스로잉 파워를 달성할 수 있음을 시사합니다. 이 연구는 고급 IC 패키지에 대한 Cu 증착을 최적화하는 데 있어 데이터 분석의 중요성을 강조합니다.
기본 데이터 분석 및 모델링데이터 탐색 및 시각화
