I pacchetti IC ad alta densità con caratteristiche fini (3 µm) e aree più grandi (77 µm) si basano sul mantenimento del 100% di potenza di lancio durante la deposizione di rame (Cu) per prestazioni ottimali. Questo studio esamina come il rapporto di aspetto, la concentrazione di brillantante e la densità di corrente influenzano la potenza di lancio della deposizione di Cu. Utilizzando JMP, i dati sperimentali sono stati analizzati per determinare le condizioni ottimali. I risultati mostrano la massima potenza di lancio a rapporti di aspetto inferiori, densità di corrente più elevate (2 ASD) e una concentrazione di brillantante di 0,7 ml/l. La modellazione predittiva suggerisce che è possibile ottenere una potenza di lancio del 97% con 1 ml/l di brillantante, densità di corrente di 2 ASD e un rapporto di aspetto di 5:1. Lo studio sottolinea l'importanza dell'analisi dei dati nell'ottimizzazione della deposizione di Cu per pacchetti IC avanzati.
