Bei hochdichten IC-Gehäusen mit feinen Strukturen (3 µm) und größeren Flächen (77 µm) ist für optimale Leistung eine 100-prozentige Streuung während der Kupferabscheidung (Cu) erforderlich. Diese Studie untersucht, wie sich Seitenverhältnis, Glanzmittelkonzentration und Stromdichte auf die Streuung der Cu-Abscheidung auswirken. Mithilfe von JMP wurden experimentelle Daten analysiert, um optimale Bedingungen zu ermitteln. Die Ergebnisse zeigen eine maximale Streuung bei niedrigeren Seitenverhältnissen, höheren Stromdichten (2 ASD) und einer Glanzmittelkonzentration von 0,7 ml/l. Prädiktive Modellierung legt nahe, dass eine Streuung von 97 % mit 1 ml/l Glanzmittel, 2 ASD Stromdichte und einem Seitenverhältnis von 5:1 erreicht werden kann. Die Studie betont die Bedeutung der Datenanalyse bei der Optimierung der Cu-Abscheidung für fortschrittliche IC-Gehäuse.
