Les boîtiers de circuits intégrés haute densité avec des caractéristiques fines (3 µm) et des surfaces plus grandes (77 µm) reposent sur le maintien d'une puissance de projection de 100 % pendant le dépôt de cuivre (Cu) pour des performances optimales. Cette étude examine comment le rapport hauteur/largeur, la concentration en agent de blanchiment et la densité de courant affectent la puissance de projection du dépôt de Cu. À l'aide de JMP, des données expérimentales ont été analysées pour déterminer les conditions optimales. Les résultats montrent une puissance de projection maximale à des rapports hauteur/largeur inférieurs, des densités de courant plus élevées (2 ASD) et une concentration d'agent de blanchiment de 0,7 ml/l. La modélisation prédictive suggère qu'une puissance de projection de 97 % peut être obtenue avec un agent de blanchiment de 1 ml/l, une densité de courant de 2 ASD et un rapport hauteur/largeur de 5:1. L'étude souligne l'importance de l'analyse des données dans l'optimisation du dépôt de Cu pour les boîtiers de circuits intégrés avancés.
