Nel campo dei semiconduttori, la non uniformità all'interno del wafer (WIW NU ), che rappresenta il processo a film sottile, è sempre stato il fattore più critico nella quantificazione delle prestazioni del film sottile. I wafer prodotti da Fab dovrebbero soddisfare uniformemente le proprietà del film richieste. Tuttavia, a causa della mancanza di metriche WIW-NU approfondite per risolvere efficacemente il problema, dobbiamo affrontare enormi sfide per migliorare l’ottimizzazione. I metodi di elaborazione WIW-NU esistenti possono solo fornire diagrammi di distribuzione della morfologia dei wafer di base, medie dei campioni e deviazioni standard, ma non possono determinare con precisione la causa del problema. Pertanto , esiste una forte richiesta da parte dei clienti e dei produttori di semiconduttori di stabilire indicatori WIW-NU più intelligenti per abbreviare il ciclo del processo di risoluzione dei problemi. Essendo una potente piattaforma di analisi dei dati, JMP può essere utilizzato per scomporre il problema WIW-NU complessivo in modalità di guasto in quattro dimensioni: ( 1 ) Radiale ; ( 2 ) Angolare ; ( 3 ) Fuori centro ; ( 4 ) Anomalo ; Al momento, questo argomento è stato analizzato metodologicamente dai seguenti aspetti: trasformazione dei dati originali per creare i dati statistici richiesti; definizione degli standard WIW-NU ; conduzione di test di ipotesi media, test di distribuzione normale e modelli di violazione della distribuzione normale; /Ppk analisi; costruire grafici I-MR , Xbar-R per acquisire modifiche speciali; utilizzare la piattaforma di Data Mining per analizzare l'impatto di diverse dimensioni su WIW-NU ; derivare modelli predittivi per guidare gli aggiustamenti del processo; Journal , Dashboard Builder per creare un database WIW-NU completo e runner JMP automatico.
