利用JMP來評估二氧化矽膜厚的工程能力指數和穩定指數以及在膜厚變化中的歸因分析– 應用材料在半導體晶片生產中，快速熱退火的腔體內壁會由於長時間加工產品而受到覆蓋物（ Coating ）的影響，從而影響內部控溫，因此需要定期通過快速熱處理後晶圓的二氧化矽厚度或者阻值來檢測腔體的健康程度，決定是否進行預防性維修（ PM ）。我們發現現有機台二氧化矽厚度的穩定性與Golden tool存在差距，但卻無法被直接量化，且歸因分析較為複雜，於是利用JMP量化腔體的製程能力並輔助歸因分析，最終獲得了比Golden Tool更好的表現。我們首先利用IMR控製圖、製程表現圖以及目標圖可視化了腔體的製程能力，隨後透過計算製程能力指數以及穩定指數清晰地量化了腔體的製程能力。隨後，利用多因子模型分析探討了現有機台與Golden tool之間WtW以及WiW均一性的差異。利用XBar-S控制圖、製程能力圖對比了現有機台與Golden tool二氧化矽厚度和退火後阻值的表現，顯示退火後阻值均一性遠優於Golden tool ，更穩定更有能力，因此可排除機台硬體的因素。再經過進一步的分析後，發現此種膜厚的變化在Golden tool也潛在存在。在經過製程調試後，二氧化矽厚度的穩定性得到了極大的改善，且調試後的阻值均一性、 穩定性與製程調試前匹配一致。過程表現圖、目標圖以及製程能力指數、穩定指數的對比，也同樣顯示出此種製程調試的效果切實可行。
