En la producción de chips semiconductores, la pared interna de la cavidad de recocido térmico rápido se verá afectada por el recubrimiento debido al procesamiento prolongado de los productos , lo que afectará el control de la temperatura interna. Por lo tanto, es necesario pasar regularmente el tratamiento térmico rápido. determinar el espesor de dióxido de silicio de la oblea o el valor de resistencia se utiliza para detectar el estado de la cavidad y decidir si se realiza un mantenimiento preventivo ( PM ). Descubrimos que existe una brecha entre la estabilidad del espesor del dióxido de silicio de la máquina existente y la herramienta Golden , pero no se puede cuantificar directamente y el análisis de atribución es más complicado, por lo que utilizamos JMP para cuantificar la capacidad del proceso de la cavidad y ayudar en el análisis de atribución, y finalmente obtuvo un mejor rendimiento que Golden Tool. Primero visualizamos la capacidad del proceso de la cavidad utilizando gráficos de control IMR, gráficos de rendimiento del proceso y gráficos de objetivos, y luego cuantificamos claramente la capacidad del proceso de la cavidad calculando el índice de capacidad del proceso y el índice de estabilidad. Posteriormente, se utilizó un análisis de modelo multifactorial para explorar las diferencias en la uniformidad de WtW y WiW entre la máquina existente y la herramienta Golden. Se utilizaron la tabla de control XBar-S y la tabla de capacidad del proceso para comparar el rendimiento del espesor y la resistencia del dióxido de silicio después del recocido entre la máquina existente y la herramienta Golden . Se demostró que la uniformidad de la resistencia después del recocido era mucho mejor que la del recocido. La herramienta Golden era más estable y capaz, por lo que se pueden eliminar los factores del hardware de la máquina. Después de un análisis más detallado, se descubrió que este cambio en el espesor de la película también existe potencialmente en la herramienta Golden. Después de la depuración del proceso, la estabilidad del espesor del dióxido de silicio ha mejorado enormemente y la uniformidad de la resistencia y la estabilidad después de la depuración son consistentes con las anteriores a la depuración del proceso. La comparación de los diagramas de rendimiento del proceso, los diagramas de objetivos y el índice de capacidad del proceso y el índice de estabilidad también muestra que el efecto de este tipo de depuración del proceso es factible.
