Nella produzione di chip semiconduttori, la parete interna della cavità di ricottura termica rapida sarà interessata dal rivestimento dovuto alla lavorazione a lungo termine dei prodotti , influenzando così il controllo della temperatura interna. Pertanto, è necessario sottoporsi regolarmente al trattamento termico rapido determinare lo spessore del biossido di silicio del wafer o il valore di resistenza viene utilizzato per rilevare lo stato di salute della cavità e decidere se eseguire la manutenzione preventiva ( PM ). Abbiamo scoperto che esiste un divario tra la stabilità dello spessore del biossido di silicio della macchina esistente e lo strumento Golden , ma non può essere quantificato direttamente e l'analisi di attribuzione è più complicata, quindi abbiamo utilizzato JMP per quantificare la capacità di processo del cavità e assistere nell'analisi di attribuzione e alla fine ha ottenuto prestazioni migliori rispetto a Golden Tool. Abbiamo innanzitutto visualizzato la capacità di processo della cavità utilizzando le carte di controllo IMR, le carte delle prestazioni del processo e le carte target, quindi abbiamo quantificato chiaramente la capacità di processo della cavità calcolando l'indice di capacità del processo e l'indice di stabilità. Successivamente, è stata utilizzata l'analisi del modello multifattoriale per esplorare le differenze nell'uniformità WtW e WiW tra la macchina esistente e lo strumento Golden. La carta di controllo XBar-S e la carta della capacità del processo sono state utilizzate per confrontare le prestazioni dello spessore del biossido di silicio e della resistenza dopo la ricottura tra la macchina esistente e lo strumento Golden . È stato dimostrato che l'uniformità della resistenza dopo la ricottura era molto migliore di quella di lo strumento d'oro ed era più stabile e capace, pertanto i fattori dell'hardware della macchina possono essere eliminati. Dopo ulteriori analisi, si è scoperto che questo cambiamento nello spessore del film esiste potenzialmente anche nello strumento Golden. Dopo il debug del processo, la stabilità dello spessore del biossido di silicio è stata notevolmente migliorata e l'uniformità e la stabilità della resistenza dopo il debug sono coerenti con quelle precedenti al debug del processo. Il confronto tra i diagrammi delle prestazioni del processo, i diagrammi target e l'indice di capacità del processo e l'indice di stabilità mostra anche che l'effetto di questo tipo di debug del processo è fattibile.
