Bei der Herstellung von Halbleiterchips wird die Innenwand des Hohlraums für die schnelle thermische Ausheilung durch die Langzeitverarbeitung der Produkte beeinträchtigt , wodurch die interne Temperaturkontrolle beeinträchtigt wird. Daher ist es notwendig, die schnelle thermische Behandlung regelmäßig durchzuführen Bestimmen Sie die Siliziumdioxiddicke des Wafers. Der Widerstandswert wird verwendet, um den Zustand des Hohlraums zu erkennen und zu entscheiden, ob eine vorbeugende Wartung ( PM ) durchgeführt werden soll. Wir haben festgestellt, dass zwischen der Stabilität der Siliziumdioxiddicke der vorhandenen Maschine und der des Golden-Werkzeugs eine Lücke besteht , diese jedoch nicht direkt quantifiziert werden kann und die Zuordnungsanalyse komplizierter ist. Daher haben wir JMP verwendet, um die Prozessfähigkeit der Maschine zu quantifizieren Hohlraum und Unterstützung bei der Attributionsanalyse, und schließlich erhalten Bessere Leistung als Golden Tool. Wir haben zunächst die Prozessfähigkeit der Kavität mithilfe von IMR-Kontrollkarten, Prozessleistungsdiagrammen und Zieldiagrammen visualisiert und anschließend die Prozessfähigkeit der Kavität durch Berechnung des Prozessfähigkeitsindex und des Stabilitätsindex klar quantifiziert. Anschließend wurde eine Multi-Faktor-Modellanalyse verwendet, um die Unterschiede in der WtW- und WiW- Gleichmäßigkeit zwischen der vorhandenen Maschine und dem Golden-Tool zu untersuchen. Das XBar-S-Kontrolldiagramm und das Prozessfähigkeitsdiagramm wurden verwendet , um die Leistung der Siliziumdioxiddicke und des Widerstands nach dem Glühen zwischen der vorhandenen Maschine und dem Golden-Werkzeug zu vergleichen . Es zeigte sich, dass die Gleichmäßigkeit des Widerstands nach dem Glühen viel besser war als die von Das goldene Werkzeug war stabiler und leistungsfähiger. Daher können die Faktoren der Maschinenhardware eliminiert werden. Nach weiteren Analysen wurde festgestellt, dass diese Änderung der Filmdicke möglicherweise auch beim Golden-Tool auftritt. Nach dem Debuggen des Prozesses wurde die Stabilität der Siliziumdioxiddicke erheblich verbessert, und die Gleichmäßigkeit und Stabilität des Widerstands nach dem Debuggen stimmt mit denen vor dem Debuggen des Prozesses überein. Der Vergleich von Prozessleistungsdiagrammen, Zieldiagrammen sowie Prozessfähigkeitsindex und Stabilitätsindex zeigt ebenfalls, dass die Wirkung dieser Art von Prozessdebugging machbar ist.
