Dans la production de puces semi-conductrices, la paroi interne de la cavité de recuit thermique rapide sera affectée par le revêtement en raison du traitement à long terme des produits , affectant ainsi le contrôle de la température interne. Par conséquent, il est nécessaire de subir régulièrement un traitement thermique rapide. déterminer l'épaisseur du dioxyde de silicium de la plaquette ou La valeur de résistance est utilisée pour détecter l'état de santé de la cavité et décider s'il faut effectuer une maintenance préventive ( PM ). Nous avons constaté qu'il existe un écart entre la stabilité de l'épaisseur de dioxyde de silicium de la machine existante et celle de l'outil Golden , mais il ne peut pas être directement quantifié et l'analyse d'attribution est plus compliquée. Nous avons donc utilisé JMP pour quantifier la capacité de processus du cavité et aider à l'analyse d'attribution, et a finalement obtenu de meilleures performances que Golden Tool. Nous avons d'abord visualisé la capacité de processus de la cavité à l'aide de cartes de contrôle IMR, de graphiques de performances de processus et de graphiques cibles, puis avons clairement quantifié la capacité de processus de la cavité en calculant l'indice de capacité de processus et l'indice de stabilité. Par la suite, une analyse de modèle multifactoriel a été utilisée pour explorer les différences d' uniformité WtW et WiW entre la machine existante et l'outil Golden. La carte de contrôle XBar-S et la carte de capacité du processus ont été utilisées pour comparer les performances d'épaisseur et de résistance du dioxyde de silicium après recuit entre la machine existante et l'outil Golden . Il a été démontré que l'uniformité de la résistance après recuit était bien meilleure que celle de. L'outil Golden était plus stable et plus performant. Par conséquent, les facteurs liés au matériel de la machine peuvent être éliminés. Après une analyse plus approfondie, il a été constaté que ce changement d’épaisseur de film existe également potentiellement dans l’outil Golden. Après le débogage du processus, la stabilité de l'épaisseur du dioxyde de silicium a été grandement améliorée, et l'uniformité et la stabilité de la résistance après le débogage sont conformes à celles d'avant le débogage du processus. La comparaison des diagrammes de performances de processus, des diagrammes cibles, de l'indice de capacité du processus et de l'indice de stabilité montre également que l'effet de ce type de débogage de processus est réalisable.
