半导体制造中的介电可靠性评估半导体技术中器件和互连的可靠性评估通常用于技术认证和定期监控，每个条件使用相对较小的样本量（个位数到十位数）。批量制造数据可以随时间推移用于评估介电可靠性，方法是在划线测试结构上进行斜坡电压击穿测量。随着时间的推移，这可以提供介电行为的详细视图，包括影响介电完整性的内在和外在机制的混合。特别是，可以检测和处理低故障率异常值或尾部，否则可能会带来现场质量风险。
出于实际原因，斜坡可能在目标电压处停止，以减少测试时间并避免损坏探针卡和探针针，这可能会导致少数数据点被审查。用少数被审查的数据点拟合大型数据集可能导致收敛挑战，从而导致拟合参数不正确和缺乏置信区间，并带来巨大的计算挑战。
本研究利用 JMP 寿命分布平台探索这些挑战，并研究替代方案和解决方案，以便进行正确的分析、拟合和推断。
质量与工艺工程可靠性分析
