極座標量測晶圓內均勻度分析在半導體領域中，表示薄膜製程的晶片內不均勻性（ Within Wafer Non-Uniformity, WIW NU ）一直是量化薄膜性能的最關鍵因素。 Fab所生產的晶片應均勻地滿足所需的薄膜性能。然而由於缺乏徹底的WIW-NU指標來有效解決問題，我們面臨著改進優化的巨大挑戰。 現有的針對WIW-NU處理方法，只能提供基本的晶片形貌分佈圖和樣本平均值與標準差，但無法準確判斷問題原因。因此建立更智慧的WIW-NU指標以縮短解決問題的過程週期，是半導體客戶以及廠商強烈的需求。 JMP作為強大的資料分析平台，可用於將整體WIW-NU問題分解為四種維度的失效模式：（ 1 ） Radial ； （ 2 ） Angular ；（ 3 ） Off Centering ；（ 4 ） Outlier 。目前該主題已經從以下方面進行方法論分析：原始數據的轉化，以創建所需的統計數據；定義WIW-NU標準；進行假設均值檢定、正態分佈檢定和正態分佈違背模式；進行GRR和Cpk /Ppk分析；建立I-MR ， Xbar-R圖表以捕捉特殊變化；利用Data Mining的平台來分析不同的維度對WIW-NU的影響；得出預測模型用以指導工藝調整；使用Query Builder 、 Group Scripts 、 Journal 、 Dashboard Builder來建立一個全面的WIW-NU資料庫，以及自動JMP運行程式。
