나 '중 아직 봄 당신의 광택 테이블 2 처리량 최적화 미끄러지 다 ~도 ,
~에 의해 그만큼 방법 .
나 '중 ~ 아니다 확신하는 만약에 그것 '에스 단지 정말 게으른 또는 무엇 '에스 가고 있다 ~에 거기 .
너 '답장 ~ 아니다 봄 그만큼 제목 미끄러지 다 ?
지금 나 '중 봄 그만큼 제목 미끄러지 다 .
나 '중 가고 있다 에게 가다 앞으로 그리고 음소거 해제 내 자신 .
응 , 나 두목 '티 알다 만약에 거기 '에스 아무것 우리 하다 ~에 대한 저것 어느 하나 .
저것 '에스 갖다 에게 BE 좋다 ㅏ 줌 또는 잠재적으로 안 인터넷 물건 .
잘 , 허락하다 '에스 가다 앞으로 그리고 하다 이것
그리고 그 다음에 만약에 나 보다 저것 것들 바라보다 정말 쟌키 ,
나 ~할 것 같다 BE 메시징 너 .
하지만 나 생각하다 ~을 위한 그만큼 최대 부분 ,
만약에 너 단지 아마도 가져가다 ㅏ 빠른 정지시키다 ~ 사이 슬라이드 ,
우리 할게요 BE 좋아요 .
나 할게요 가다 앞으로 그리고 무음 ,
그리고 그 다음에 너 ~할 수 있다 가다 앞으로 그리고 얻다 시작했다 , 톰 .
나 '중 정말 기쁜 에게 BE 여기 오늘 그리고 발표 에게 너 .
나 할게요 BE 토론 화학적인 기계 평탄화 또는 CMP .
이것 ~이다 안 완전한 단계 ~에 그만큼 반도체 조작 프로세스
저것 나 ~ 할 것이다 주다 ㅏ 작은 조금 ~의 배경 ~에
~처럼 나 이동하다 ~을 통해 나의 슬라이드 .
허락하다 '에스 가다 에게 그만큼 첫 번째 미끄러지 다 ~의 그만큼 프레젠테이션 .
빠른 개요 ~의 CMP .
한 번 다시 , 저것 스탠드 ~을 위한 화학적인 기계 평탄화 ,
그리고 저것 설명하다 그만큼 둘 프로세스 관련된
~와 함께 평탄화 확실한 레이어 ~의 회로 ~에 그만큼 반도체 필드 .
그것 '에스 중대한 에게 평탄화하다 각 층 ~의 회로
그래서 저것 그만큼 하나 저것 간다 ~에 맨 위 ~의 그만큼 선행 층
~ 할 것이다 ~ 아니다 가지다 어느 반바지 또는 열립니다 또는 짧은 회로 .
그만큼 화학적인 부분 ~의 화학적인 기계적인 평탄화
~이다 언제 우리 소개하다 ㅏ 액체
에게 반응하다 ~와 함께 그만큼 맨 위 원자 층 ~의 그만큼 재료 저것 우리 ~이다 평탄화 .
저것 반응 부드러워지다 그만큼 층 ,
~이든 그것 '에스 ㅏ 금속 또는 안 산화물 , 무엇이든 그만큼 사례 5월 BE ,
우리 선택하다 저것 화학적인 그래서 저것 그것 ~ 할 것이다 부드럽게 하다 그만큼 맨 위 원자 층 .
그 다음에 그만큼 기계적인 부분 온다
~와 함께 그만큼 연마재 저것 ~이다 주의하여 선택된 ~을 위한 저것 세련 슬러리 .
이것들 연마재 그 다음에 제거하다 저것 부드러워진 맨 위 층 ,
노출 그만큼 다음 원자 층 에게 BE 부드러워진 ~에 의해 그만큼 화학적인 반응 .
이것 프로세스 ~이다 반복 원자 층 ~ 후에 원자 층
~까지 그만큼 원하는 수준 ~의 평탄화 ~이다 도달했다 .
좋다 나 ~였다 속담 ,
이것 평탄화 ~이다 중대한 에게 하다 ~에 ~ 사이 각 층 ~의 회로
에게 보장하다 저것 우리 가지다 단단한 전기 같은 격리
없이 어느 반바지 또는 열립니다 .
이것 프로세스 가능하게 한다 우리를 에게 말뚝 많은 레이어 ~에 맨 위 ~의 하나 또 다른
그리고 줄이다 그만큼 발자국 ~의 무엇이든 칩 우리 '답장 만들기 .
언제 우리 하다 그만큼 CMP 프로세스 ,
많은 ~의 그들을 이루어져 있다 ~의 ㅏ 둘 광택 테이블 프로세스 에게 ~할 수 있게 하다 최고 처리량 .
일반적으로 , 그만큼 첫 번째 테이블 구성되어 있다 ~의 ㅏ 대부분 광택
어디 최대 ~의 ㅏ 물질 ~이다 평탄화 그리고 제거됨 ,
그리고 그 다음에 ㅏ 결정적인 광택 또는 두번째 광택 테이블
어디 우리 하다 그만큼 결정적인 만지다 -업
그리고 보장하다 저것 우리 가지다 좋은 전기 같은 격리 ~ 사이 그만큼 회로 .
각 광택 테이블 가지다 ㅏ 광택 인주
어디 우리 누르다 그만큼 웨이퍼 포함하는 그만큼 작은 조각 ~에 맞서 ,
그리고 이것 가능하게 한다 그만큼 광택 프로세스 에게 발생하다
그리고 그것 가능하게 한다 그만큼 슬러리 에게 BE 누르면 ~에 맞서 그만큼 웨이퍼 저것 포함 그만큼 작은 조각 .
그만큼 광택 인주 , 안타깝게도 ,
그것 입는다 아래에 ~처럼 각 웨이퍼 ~이다 우아한 ~에 그것 ,
어느 억제하다 그만큼 수송 ~의 이것 화학적인 슬러리 에게 그만큼 웨이퍼 표면 .
일반적으로 , ~처럼 그만큼 광택 인주 입는다 , 우리 보다 ㅏ 절감 ~에 광택 비율 ,
어느 원인 더 길게 그리고 더 길게 광택 타임스 .
만약에 우리 두목 '티 가져가다 저것 입다 요인 ~ 안으로 계정
그리고 우리 '답장 환경 위로 그만큼 둘 -테이블 프로세스 ,
그 다음에 우리 ~ 할 것이다 가지다 하나 광택 테이블 시작하다 에게 지배하다 ,
그리고 그것 ~할 수 있다 실제로 개발하다 그런 ㅏ 긴 광택 시간
저것 그것 ~ 할 것이다 ~이 되다 ㅏ 제한 요인 ~에 우리의 처리량 .
을 위한 나의 프레젠테이션 오늘 ,
나 '중 설명하다 ㅏ 프로세스 이로써 우리 ~할 수 있다 가져가다 ~ 안으로 계정 그만큼 인주 입다 비율
그리고 아직 보장하다 저것 우리 가지다 최적화된 처리량 .
접근하다 그리고 그만큼 결과 .
나 모인 그리고 분석됨 데이터 ~에 JMP
에게 보여주다 그만큼 광택 시간 ~ 대 광택 인주 삶 관계
~을 위한 테이블 1 그리고 2 ~을 위한 ㅏ CMP 둘 -테이블 프로세스
~에 하나 ~의 텍사스 악기 제작 시설 .
나 그 다음에 사용된 JMP 스크립팅 언어 ,
그만큼 세워짐 -안에 완성 기능 에게 계산하다 그만큼 영역
아래에 그만큼 광택 시간 ~ 대 인주 삶 곡선 ~을 위한 둘 다 테이블 .
그 다음에 , 마지막으로 , 나 사용된 그만큼 체계 ~의 방정식
에게 해결하다 ~을 위한 ㅏ 테이블 1 광택 시간 시작 가리키다
저것 활성화됨 동일한 광택 시간 ~ 대 광택 인주 삶 통합 지역
~을 위한 테이블 1 그리고 2 .
이것 보장 저것 우리 가졌다 달성 ㅏ 최대화 도구 산출
~을 위한 그만큼 CMP 프로세스 .
결론 ~이다 저것 우리 ~할 수 있다 사용 JMP
에게 개발하다 , 첫 번째 ~의 모두 , 광택 시간 ~ 대 광택 인주 삶 곡선 .
그 다음에 , 두번째 , 우리 ~할 수 있다 사용 JMP 스크립팅 언어 , 세워짐 -안에 적분기 .
우리 ~할 수 있다 사용 이것 콤비네이션
~처럼 안 효율적인 방법 에게 최적화하다 CMP 둘 테이블 프로세스 ~을 위한 처리량 .
허락하다 '에스 가다 에게 그만큼 다음 미끄러지 다 .
이것 곡선 저것 우리 '답장 찾고 ~에 ~이다 무엇 우리 얻다 언제 우리 구성 그만큼 광택 시간
~에 그만큼 첫 번째 테이블 ~ 대 그만큼 광택 인주 삶 ~의 저것 첫 번째 테이블 .
처럼 우리 ~할 수 있다 보다 , 그만큼 광택 시간 ~처럼 그만큼 인주 입는다
그리고 우리 광택 더 그리고 더 웨이퍼 ~에 이것 광택 인주 ,
우리 시작 에게 보다 광택 타임스 증가하다 상당히 극적으로 .
사용 JMP , 우리 ~할 수 있다 맞다 ㅏ 선 에게 이것 데이터
그리고 개발하다 ㅏ 단순한 와이 같음 MX ...을 더한 비 경사 가로채기 기능 에게 맞다 이것 데이터 .
나 '중 사용하여 ㅏ 첫 번째 주문하다 여기 ,
하지만 만약에 그만큼 데이터 정당화됨 그것 , 우리 ~할 수 있었다 사용 ㅏ 두번째 또는 제삼 주문하다 .
하지만 ~에 이것 사례 , ㅏ 첫 번째 주문하다 ~이다 충분한 .
우리 개발됨 그만큼 방정식 ~을 위한 광택 시간 ~ 대 인주 세다 ,
그리고 그 다음에 우리 사용 그만큼 JSL 적분기 에게 통합하다 그만큼 영역 아래에 이것 선 .
저것 '에스 ~을 위한 그만큼 광택 테이블 1 .
그 다음에 나 할게요 말하다 ㅏ 작은 조금 더 ~에 대한 그만큼 방정식 필요한 에게 해결하다
~을 위한 그만큼 최적의 설정 .
하지만 첫 번째 ~의 모두 , 우리 할게요 도약 에게 광택 테이블 2 .
광택 테이블 2 ~이다 그만큼 결정적인 , 그것 '에스 그만큼 마무리 손질 테이블
어디 우리 마치다 풀이 무엇이든 그만큼 대부분 재료 ~이다
우리 '답장 사용하여 에게 격리하다 또는 형태 이것들 회로 , 전기 같은 회로 .
그만큼 같은 물건 ~을 위한 광택 테이블 2 ,
우리 개발됨 그만큼 곡선 ~에서 역사적인 데이터
~의 광택 시간 ~에 초 ~ 대 그만큼 광택 인주 삶 .
일반적으로 , ~을 위한 그만큼 세련 작은 지면 , ~을 위한 그만큼 결정적인 작은 지면 또는 결정적인 테이블 ,
그만큼 경향 ~와 함께 광택 인주 삶 ~이다 ~ 아니다 ~처럼 명백한 ~처럼 그것 ~이다
~을 위한 그만큼 대부분 ~을 위한 테이블 1 .
전에 토론 ㅏ 작은 조금 더 ~에 대한 이것들 방정식 ,
단지 에게 만들다 확신하는 모든 사람 '에스 ~에 그만큼 같은 페이지 ,
나 구함 에게 보여주다 무엇 육체적으로 이것 외모 좋다 ~에 그만큼 웨이퍼 표면
~을 위한 행위 이것 둘 -테이블 광택 프로세스 .
전에 우리 시작 에게 광택 아무것 ,
우리 가지다 ㅏ 웨이퍼 ~와 함께 무늬 회로 ~에 그것 .
그 다음에 , ~에 맨 위 ~의 저것 웨이퍼 ,
우리 했어 입금 ㅏ 크기가 큰 양 , 비교적 말하기 ,
~의 ~이든 그것 '에스 절연체 또는 전기적으로 전도성 재료 ,
무엇이든 ~이다 필요한 에게 형태 그만큼 회로 저것 우리 했어 에칭 여기 .
후에 광택 테이블 1 , 또한 모두 다 아는 ~처럼 그만큼 대부분 광택 테이블 ,
우리 했어 제거됨 ㅏ 중요한 양 ~의 이것 대부분 재료
그리고 우리 했어 평탄화 그것 , 만들어진 그것 매우 평평한 .
그 다음에 ~ 후에 광택 테이블 2 ,
어느 ~이다 또한 ~라고 불리는 그만큼 분명한 또는 그만큼 마치다 테이블 ,
우리 했어 제거됨 모두 ~의 이것 대부분 재료
제외하고 어디 그것 '에스 실제로 필요한 ~에 그만큼 무늬 회로 .
물리적으로 , 저것 '에스 무엇 '에스 사고 ~에 이것 둘 광택 테이블 프로세스 .
허락하다 '에스 가다 뒤쪽에 빠르게 에게 그만큼 방정식 .
우리 통합하다 그만큼 영역 아래에 테이블 1 , 어느 ~이다 ~에 그만큼 선행 미끄러지 다 .
저것 '에스 그만큼 대부분 광택 시간 ~ 대 테이블 1 광택 인주 세다 .
그 다음에 우리 또한 통합하다 그만큼 영역 아래에 이것 곡선 ,
어느 ~이다 그만큼 결정적인 또는 마치다 테이블 .
같은 물건 , 통합하다 그만큼 영역 아래에 그만큼 광택 시간 ~ 대 인주 세다 선 .
그 다음에 우리 해결하다 그만큼 선의 체계 ~의 방정식 에게 찾다 어느 와이 - 가로채기 ,
~에 이것 사례 , 그것 '에스 b1 , 그리고 저것 '에스 ~을 위한 그만큼 테이블 1 .
우리 해결하다 ~을 위한 저것 b1 저것 ~ 할 것이다 만들다 안 동일한 통합 영역
아래에 그만큼 테이블 1 그리고 그만큼 테이블 2 곡선 .
단지 ~처럼 ㅏ 알림 ,
그만큼 JMP 스크립팅 언어 가지다 ㅏ 능숙한 기능
~을 위한 활성화 빠른 완성
그리고 결정 그만큼 지역 아래에 이것들 둘 곡선 .
그 다음에 기반을 둔 ~에 ㅏ 약간의 다른 속성
저것 우리 알다 기반을 둔 ~에 역사적인 또는 기준선 분석 ,
그 다음에 우리 '답장 할 수 있는 에게 세트 위로 ㅏ 체계 ~의 방정식
~와 함께 네 알려지지 않은 , 네 방정식 ,
그리고 그 다음에 우리 해결하다 ~을 위한 저것 가로채기 ~에 그만큼 첫 번째 곡선
저것 가능하게 한다 최고 처리량 ~에 동일한 영역 아래에 이것들 곡선 .
와 함께 저것 ,
거의 그만큼 전체 프로세스 ~할 수 있다 BE 완료 ~에 JMP ,
~와 함께 그만큼 예외 ~의 해결 ㅏ 체계 ~의 방정식
저것 ~할 수 있다 간접적으로 BE 완료 ~에 JMP , 또는 너 ~할 수 있다 쓰다 ㅏ 스크립트 .
하지만 나 했어 설립하다 그것 더 쉽게 단지 에게 해결하다 그만큼 체계 ~의 방정식 수동으로 ,
하지만 그것 ~할 수 있었다 용이하게 BE 세트 위로 에게 BE 완료 ~에 JMP ~처럼 잘 .
언제 너 마치다 이것 프로세스 ,
그 다음에 너 '답장 할 수 있는 에게 최적화하다 이것 둘 -테이블 CMP 체계
그리고 너 ~할 수 있다 최대화하다 그만큼 처리량
그리고 그래서 최소화하다 그만큼 숫자 ~의 광택 도구 필수의 ,
어느 저장 ㅏ 많은 ~의 돈 그리고 저장 ㅏ 많은 ~의 시간 .
저것 ~이다 그만큼 끝 ~의 나의 프레젠테이션 .
감사하다 너 .
