Haut-parleurs : Wang Shenglin, chercheur en procédés avancés, Centre de R&D, CanSemi Semiconductor Co., Ltd.
le sujet du discours : Optimisation du champ de température dans la croissance de film épitaxial de silicium
discours abstrait :
L'uniformité du champ de température est cruciale pour le contrôle des défauts dans le processus de croissance du film épitaxial de silicium En utilisant JMP DOE combiné avec des conditions limitées, le champ de température peut être efficacement optimisé, une fenêtre de contrôle de température sans défauts de glissement Si est donnée, et la température les paramètres de réglage sont optimisés. Dans le même temps, le profileur de prédiction est utilisé pour donner la fenêtre de contrôle de la température sans glissement de Si à différentes températures, et une fenêtre commune est sélectionnée pour raccourcir le cycle de développement.
