使用 DOE 進行等離子體增強化學氣相沉積薄膜開發 (2023-US-30MP-1516)William Entley，EMD Electronics 高級研發經理
Jed Campbell，JMP Statistical Discovery 高級系統工程師
Jennifer Achtyl，EMD Electronics 首席研發科學家
Robert Ridgeway，EMD Electronics 高級研發經理
等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 廣泛用於半導體製造中沉積薄膜。 PECVD 工藝是氣相工藝，通常在專門設計的沉積室中在低壓下進行。 許多工藝參數以難以表徵的方式影響薄膜特性。
該演示文稿顯示：
- 如何使用廣義回歸平台來“拯救”無法完成運行的最終篩選設計。
- 如何增強原始設計。
- 最終如何充分理解這一複雜的設計空間，以找到一種新的前體，有效地識別出一種薄膜，在最少的實驗次數中最大化目標薄膜特性（高機械強度）。
本演示主要是實時使用 JMP 進行實踐。
基礎數據分析和建模實驗設計
