Tom Jarman, 텍사스 인스트루먼트 프로세스 엔지니어
CMP(Chemical Mechanical Planarization)는 반도체 산업에서 사용되는 공정으로 칩의 층을 평탄화하거나 평탄화하여 그 위에 다른 층을 놓을 준비를 합니다.화학 부분은 액체 연마 슬러리와 연마되는 물질의 최상층 사이에서 발생하는 화학 반응으로 구성되며, 이는 공정에서 종종 연화됩니다.기계적 부분은 화학적 연화 후에 발생하여 최상층을 제거하고 화학 반응을 위해 다음 원자층을 노출시킵니다.연마는 다음 레이어가 이전 레이어의 지형으로 인해 전기적 개방 또는 단락을 갖지 않도록 하는 데 중요합니다.많은 CMP 공정은 하나의 테이블에서 벌크 연마를 한 다음 두 번째 테이블에서 최종 연마로 구성됩니다. 이 두 테이블 프로세스는 두 테이블이 벌크 및 최종 폴리싱 시간에 대해 적절하게 균형을 이루는 경우 CMP 도구에서 가능한 최대 출력을 달성하는 데 도움이 됩니다.
JMP에서 데이터를 수집하고 분석하여 Texas Instruments의 제조 시설 중 하나에서 CMP 공정의 표 I 및 표 II에 대한 연마 시간과 패드 수명의 관계를 보여주었습니다.그런 다음 JSL 내장 통합 기능을 사용하여 표 I 및 II에 대한 연마 시간 대 패드 수명 곡선 아래의 면적을 계산했습니다.마지막으로, 방정식 시스템을 사용하여 표 I 및 표 II에 대해 동일한 연마 시간 대 연마 패드 수명 통합 영역을 생성하는 표 I 연마 시간 시작점을 해결하여 이 CMP 공정을 위한 최대 도구 출력을 보장했습니다.
