Tom Jarman, ingénieur de processus, Texas Instruments
La planarisation chimico-mécanique (CMP) est un processus utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs dans lequel une couche de la puce est planarisée ou aplatie en vue de la mise en place d'une autre couche par-dessus.La partie chimique consiste en des réactions chimiques se produisant entre la suspension de polissage liquide et la couche supérieure de la substance à polir, qui est souvent ramollie au cours du processus.La partie mécanique se produit après le ramollissement chimique, en supprimant la couche supérieure et en exposant la couche atomique suivante pour la réaction chimique.Le polissage est crucial pour s'assurer que la couche suivante n'a pas d'ouvertures ou de courts-circuits électriques en raison de sa topographie sur la couche précédente.De nombreux processus CMP consistent en un polissage en vrac sur une table, puis un polissage final sur une deuxième table. Ce processus à deux tables permet d'obtenir la sortie maximale possible d'un outil CMP si les deux tables sont correctement équilibrées pour les temps de polissage en vrac et final.
J'ai rassemblé et analysé des données dans JMP pour montrer la relation entre le temps de polissage et la durée de vie du tampon de polissage pour les tableaux I et II pour un processus CMP dans l'une des installations de fabrication de Texas Instruments.J'ai ensuite utilisé la fonction d'intégration intégrée JSL pour calculer l'aire sous la courbe de temps de polissage par rapport à la durée de vie du tampon pour les tableaux I et II.Enfin, j'ai utilisé un système d'équations pour résoudre un point de départ du temps de polissage du tableau I qui a créé des zones intégrées de temps de polissage par rapport à la durée de vie du tampon de polissage pour les tableaux I et II, garantissant une sortie d'outil maximisée pour ce processus CMP.
