Tom Jarman，德州儀器 (TI) 工藝工程師
化學機械平坦化 (CMP) 是半導體行業中使用的一種工藝，其中芯片的一層被平坦化或壓平，為在其頂部放置另一層做好準備。化學部分由液體拋光漿料和被拋光物質的表層之間發生的化學反應組成，表層物質通常在此過程中軟化。機械部件在化學軟化後發生，去除頂層並暴露下一個原子層進行化學反應。拋光對於確保後續層不會因其前一層的形貌而出現電氣開路或短路至關重要。許多 CMP 工藝包括在一張工作台上進行批量拋光，然後在第二張工作台上進行最終拋光。 如果兩個工作台在批量和最終拋光時間方面得到適當平衡，則此兩個工作台流程有助於實現 CMP 工具的最大可能輸出。
我在 JMP 中收集並分析了數據，以顯示表 I 和表 II 中德州儀器 (TI) 製造工廠的 CMP 工藝的拋光時間與拋光墊壽命的關係。然後，我使用 JSL 內置積分功能來計算表 I 和表 II 的拋光時間與拋光墊壽命曲線下的面積。最後，我使用方程組來求解表 I 的拋光時間起點，該起點為表 I 和表 II 創建了相等的拋光時間與拋光墊壽命積分面積，確保了該 CMP 工藝的工具輸出最大化。
