Tom Jarman，德州仪器 (TI) 工艺工程师
化学机械平坦化 (CMP) 是半导体行业中使用的一种工艺，其中芯片的一层被平坦化或压平，为在其顶部放置另一层做好准备。化学部分由液体抛光浆料和被抛光物质的表层之间发生的化学反应组成，表层物质通常在此过程中软化。机械部件在化学软化后发生，去除顶层并暴露下一个原子层进行化学反应。抛光对于确保后续层不会因其前一层的形貌而出现电气开路或短路至关重要。许多 CMP 工艺包括在一张工作台上进行批量抛光，然后在第二张工作台上进行最终抛光。 如果两个工作台在批量和最终抛光时间方面得到适当平衡，则此两个工作台流程有助于实现 CMP 工具的最大可能输出。
我在 JMP 中收集并分析了数据，以显示表 I 和表 II 中德州仪器 (TI) 制造工厂的 CMP 工艺的抛光时间与抛光垫寿命的关系。然后，我使用 JSL 内置积分功能来计算表 I 和表 II 的抛光时间与抛光垫寿命曲线下的面积。最后，我使用方程组来求解表 I 的抛光时间起点，该起点为表 I 和表 II 创建了相等的抛光时间与抛光垫寿命积分面积，确保了该 CMP 工艺的工具输出最大化。
