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硅外延膜生长中的温度场优化_粤芯半导体

演讲嘉宾：王胜林，粤芯半导体股份有限公司研发中心，先进制程研究员

演讲主题：硅外延膜生长中的温度场优化

演讲摘要：

温度场的均匀性对硅外延膜生长过程中缺陷的控制至关重要，利用JMP DOE结合限定条件，高效地优化温度场，给出无Si slip 缺陷的温度控制窗口，优化温度设置参数。同时利用Prediction profiler 给出不同温度下无Si slip 温度控制窗口, 选择一个通用窗口，从而缩短研发周期。

Breakout

Data Exploration

Data Visualization

DOE

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