Lautsprecher : Wang Shenglin, Advanced Process Researcher, Forschungs- und Entwicklungszentrum, CanSemi Semiconductor Co., Ltd.
das Redethema : Temperaturfeldoptimierung beim Wachstum epitaktischer Siliziumfilme
Rede abstrakt :
Die Gleichmäßigkeit des Temperaturfeldes ist entscheidend für die Kontrolle von Defekten im Wachstumsprozess von Silizium-Epitaxiefilmen. Mit JMP DOE in Kombination mit begrenzten Bedingungen kann das Temperaturfeld effizient optimiert werden, es wird ein Temperaturkontrollfenster ohne Si-Gleitdefekte und Temperatur gegeben Einstellparameter werden optimiert. Gleichzeitig wird der Prediction Profiler verwendet, um das Temperaturkontrollfenster ohne Si-Schlupf bei verschiedenen Temperaturen anzugeben, und es wird ein gemeinsames Fenster ausgewählt, um den Entwicklungszyklus zu verkürzen.
