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シリコンエピタキシャル膜成長における温度場最適化_YS半導体

スピーカー: Wang Shenglin、CanSemi Semiconductor Co., Ltd. R&D センター先端プロセス研究員

スピーチの話題: シリコンエピタキシャル膜成長における温度場の最適化

 

スピーチ要旨:

温度場の均一性はシリコンエピタキシャル膜の成長プロセスにおける欠陥の制御に重要であり、限られた条件と組み合わせたJMP DOEを使用することで、温度場を効率的に最適化し、Siスリップ欠陥のない温度制御ウィンドウを与え、温度を制御することができます。設定パラメータが最適化されます。同時に、予測プロファイラーを使用して、さまざまな温度でSiスリップのない温度制御ウィンドウを提供し、共通のウィンドウを選択して開発サイクルを短縮します。

 

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