스피커 : Wang Shenglin, CanSemi Semiconductor Co., Ltd. R&D 센터 고급 공정 연구원
연설 주제 : 실리콘 에피택셜 필름 성장의 온도 필드 최적화
연설 개요 :
온도 필드의 균일성은 실리콘 에피택셜 필름의 성장 프로세스에서 결함 제어에 매우 중요합니다.제한된 조건과 결합된 JMP DOE를 사용하면 온도 필드를 효율적으로 최적화할 수 있고 Si 슬립 결함이 없는 온도 제어 창이 제공되며 온도 설정 매개변수가 최적화됩니다. 동시에 예측 프로파일러를 사용하여 다양한 온도에서 Si 슬립이 없는 온도 제어 창을 제공하고 공통 창을 선택하여 개발 주기를 단축합니다.
