Altavoces : Wang Shenglin, investigador de procesos avanzados, centro de I+D, CanSemi Semiconductor Co., Ltd.
el tema del discurso : Optimización del campo de temperatura en el crecimiento de película epitaxial de silicio
discurso abstracto :
La uniformidad del campo de temperatura es crucial para el control de defectos en el proceso de crecimiento de la película epitaxial de silicio.Usando JMP DOE combinado con condiciones limitadas, el campo de temperatura se puede optimizar de manera eficiente, se proporciona una ventana de control de temperatura sin defectos de deslizamiento de Si y la temperatura Los parámetros de configuración están optimizados. Al mismo tiempo, el perfilador de predicción se utiliza para proporcionar una ventana de control de temperatura sin deslizamiento de Si a diferentes temperaturas, y se selecciona una ventana común para acortar el ciclo de desarrollo.
