Altoparlanti : Wang Shenglin, ricercatore di processi avanzati, centro di ricerca e sviluppo, CanSemi Semiconductor Co., Ltd.
l'argomento del discorso : Ottimizzazione del campo di temperatura nella crescita del film epitassiale di silicio
estratto del discorso :
L'uniformità del campo di temperatura è fondamentale per il controllo dei difetti nel processo di crescita del film epitassiale di silicio.Utilizzando JMP DOE combinato con condizioni limitate, il campo di temperatura può essere ottimizzato in modo efficiente, viene fornita una finestra di controllo della temperatura senza difetti di scorrimento del Si e temperatura i parametri di impostazione sono ottimizzati. Allo stesso tempo, il profiler di predizione viene utilizzato per fornire la finestra di controllo della temperatura senza slittamento del Si a temperature diverse e viene selezionata una finestra comune per abbreviare il ciclo di sviluppo.
