預測單事件閂鎖模型的開發 (2023-EU-30MP-1333)Laurence Montagner,Microchip Technology Rousset 首席技術強化工程師
Microchip 首席技術和開發工程師 David Truyen
針對注重降低成本的新空間市場,使用COTS(貨架上的電路)產品是一個不錯的選擇。 為了符合空間可靠性,必須對 COTS 進行評估和修改以滿足航天局規範,尤其是在單事件閂鎖 (SEL) 方面。 這種效應是由重離子撞擊電路而產生的。 傳輸到物質的能量 (LET) 觸發寄生晶閘管並引發閉鎖。 SEL 靈敏度的特徵在於 LET 閾值和保持電壓標準。 到目前為止,為了評估 LET 閾值,進行了 TCAD 模擬和實驗測試,但 TCAD 非常耗時,照射過程非常昂貴。分析模型 LET 閾值是一種以較低成本獲得快速估計的解決方案,可以幫助增強產品的輻射強度。 JMP 非常適合協助構建和分析實驗設計 (DOE) 的結果。 它的剖析器適用於找到滿足 LET 閾值標準的最佳輸入組合。