应用材料公司工艺工程师 Ting Cheng
应用材料公司工艺工程师崔悦
在有关 PVD 溅射工艺的 AMAT 六西格码黑带项目中，项目目标是优化几个薄膜性能。 使用 Pugh 矩阵来选择最可行的硬件设计。PVD 溅射工艺参数的选择 (Xs) 基于 PVD 溅射工艺的物理特性。
为了改进设计结构，使用确定性筛选设计和扩充设计以避免在决议 II 和 III 上的混淆。 RSM 模型和最小二乘拟合用于构建这些薄膜特性的预测模型。 除了主效应外，还发现几个交互效应在简化的 RSM 模型中是显着的。每个相互作用效应都揭示了来自两个相互竞争的 PVD 溅射物理模型的潜在见解。
为了进一步优化多流溅射工艺，采用组正交过饱和设计DOE来优化每个溅射工艺块。 在寻找最佳设计时，薄膜属性 (Ys) 会相互竞争。使用三种 JMP 技术来寻找最优稳健设计：
- 设置基于模拟的 DSD 以优化合意函数。
- 执行 Profiler Robust Optimization 以找到最佳设计。
- 运行蒙特卡罗模拟以估计不合格缺陷百分比。
通过使用这些 JMP 16 建模平台和技术，这个黑带项目非常成功，不仅在即兴一世ng 电影属性，但也有助于进一步理解物理如何在过程中相互作用。 这种多方面的 JMP DOE、基于建模和仿真的方法成为采用类似方法的几个新 JMP 项目的基准。
