詹保羅·波爾西內利
高級數據挖掘工程師
抽象的:
在 Silicon-Fab 中,每個矽晶圓都會收集幾個電氣和功能測量值。
因此,在大量數據中確定哪些變量真正影響了晶圓良率,這是最重要的關鍵性能指標,這一點非常重要。通常使用具有線性回歸擬合的散點圖。
無論如何,這種技術只有在分佈正常、沒有異常值和數據噪聲的情況下才有效。 所有這些因素都可能掩蓋產量損失和生產線問題之間的真實關係。