應用材料公司工藝工程師 Ting Cheng
應用材料公司工藝工程師崔悅
在有關 PVD 濺射工藝的 AMAT 六西格碼黑帶項目中，項目目標是優化幾個薄膜性能。 使用 Pugh 矩陣來選擇最可行的硬件設計。PVD 濺射工藝參數的選擇 (Xs) 基於 PVD 濺射工藝的物理特性。
為了改進設計結構，使用確定性篩選設計和擴充設計以避免在決議 II 和 III 上的混淆。 RSM 模型和最小二乘擬合用於構建這些薄膜特性的預測模型。 除了主效應外，還發現幾個交互效應在簡化的 RSM 模型中是顯著的。每個相互作用效應都揭示了來自兩個相互競爭的 PVD 濺射物理模型的潛在見解。
為了進一步優化多流濺射工藝，採用組正交過飽和設計DOE來優化每個濺射工藝塊。 在尋找最佳設計時，薄膜屬性 (Ys) 會相互競爭。使用三種 JMP 技術來尋找最優穩健設計：
- 設置基於模擬的 DSD 以優化合意函數。
- 執行 Profiler 穩健優化以找到最佳設計。
- 運行蒙特卡羅模擬以估計不合格缺陷百分比。
通過使用這些 JMP 16 建模平台和技術，這個黑帶項目非常成功，不僅在即興一世ng 電影屬性，但也有助於進一步理解物理如何在此過程中相互作用。 這種多方面的 JMP DOE、基於建模和仿真的方法成為採用類似方法的幾個新 JMP 項目的基準。
