DOE에서 질문을 설정하는 요인을 변경하기 쉽지 않음고객으로부터 분할 플롯 설계 설정 질문을 받았습니다. 보다 명확하게 설명하려면 귀하의 도움이 필요합니다.
그들은 두 가지 과정을 포함하는 디자인을 만들어야 합니다.
첫 번째 프로세스:
• 섭씨 360, 370, 380 레벨의 퍼니스 온도
• 4가지 다른 유형의 코팅을 나타내는 C1, C2, C3 및 C4 레벨의 코팅
두 번째 프로세스:
• 섭씨 400, 450 및 500 레벨의 퍼니스 온도
•코팅, 3가지 다른 유형의 코팅을 나타내는 C5, C6, C7 수준의 코팅
두 공정 모두에서 노 온도 계수는 계수를 변경하기가 쉽지 않습니다.
이 상황에서 어떻게 더 나은 DOE를 얻을 수 있습니까?
Furnace Temp factor를 변경하기 어려운 요소로 간주하고 분할구 설계를 진행합니까?
아니면 1st Furnace Temp factor를 변경하기 어려운 요소로 설정하고 2nd Furnace Temp factor를 변경하기 어려운 요소로 설정한 다음 split-split plot 디자인을 진행하시겠습니까?
또는 다른 더 나은 제안?
감사합니다.
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음@에릭_왕 이를 설정하는 두 가지 일반적인 방법이 있습니다. 첫째, 재료의 각 배치(즉, 용광로에 들어가는 실험 장치)에 대해 2개의 온도를 독립적으로 무작위화할 수 있습니다. 따라서 코팅 C1, C2, C3 및 C4를 실험 장치에 무작위로 적용하고(변경하기 쉬움), 요소 설정 내에서 임의의 온도에서 실행되는 용광로에 대해 함께 그룹화하고, 두 번째 코팅을 무작위로 적용합니다(변경하기 쉬움 - C5, C6, C7), 두 번째 임의의 노 온도(변경하기 어려움)에서 모두 실행합니다. 직선 분할 플롯, 아마도 둘 중 더 쉬울 것입니다.
두 번째 접근 방식은 모든 Furnace 1 실행을 먼저 수행하고(각각의 실험 단위 배치가 코팅 1을 쉽게 변경할 수 있음) 코팅 2를 적용한 다음 Furnace 2 실행에 대해 거의 완성된 실험 단위를 무작위로 선택하는 것입니다. 이것은 스트립 플롯입니다. 두 개의 퍼니스 실행 중 어느 것이 설정되어 있는지는 중요하지 않습니다. 열심히 , 확인해야 합니다 변경하기 어려운 요소는 매우 변경하기 어려운 요소와 독립적으로 다를 수 있음 상자에 넣고 Furnace 1 처리를 받는 실행을 올바른 Furnace 2 실행으로 적절하게 무작위화합니다. 첨부된 예에서 저는 Furnace 2를 Very Hard 요소로 만들었습니다. Furnace 1은 동일한 Subplots 값을 사용하여 단일 Furnace 1 실행에 해당합니다.
내가 말할 수 있는 한, 분할 플롯은 약간 더 정확한 추정치를 제공합니다. 또한 모든 Furnace 1 실행이 수행될 때까지 실험 장치를 유지해야 하는 경우 예상치 못한 문제가 발생할 수 있습니다. 예를 들어 반도체 산업에서 처리 단계 사이에 너무 오래 방치하면 웨이퍼에서 원치 않는 성장이 발생할 수 있습니다. 궁극적으로 어떤 디자인이 올바르게 실행될 가능성이 더 높은지에 달려 있습니다.
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음Don, 당신의 설명은 저에게 매우 도움이 되었습니다. 감사합니다.
당신이 제안한 실험을 내가 완전히 이해했는지 확인하기 위해
나는 첨부 된대로 분할 플롯과 스트립 플롯에 대한 플롯을 그리려고합니다. (플롯은 조잡하고 거칠다는 것을 압니다)
플롯이 당신이 설명하는 디자인에 가까운지 확인할 수 있도록 도와주시겠습니까?
감사합니다.
BTW, 이전 댓글의 마지막 섹션에서 언급했듯이 예기치 않은 문제가 발생하지 않도록 프로세스 1과 프로세스 2 사이의 시간을 고려해야 합니다.
웨이퍼 실행 대신 분할 플롯/스트립 플롯 배치 실행을 실행한다는 의미입니까(웨이퍼별로 실험 요소를 설정할 시간이 없기 때문에 일부 요소를 변경하기 어려운/매우 어려운 것으로 설정함)?
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음고맙습니다, @DonMcCormack .
웨이퍼별로 설정하면 분할 플롯을 사용할 수 있고 변경하기 매우 어려운 웨이퍼의 배치를 고려하면 스트립 플롯이 적합하지만 12 프로세스 사이에 약간의 Qtime(대기 시간)이 필요합니다. 내 고객과 논의한 후, 그들은 프로세스 1과 프로세스 2가 연속적이라는 문제에 직면했습니다. 즉, 전체 프로세스가 완료될 때까지 웨이퍼가 퍼니스를 꺼내지 않고 Qtime이 짧거나(또는 Qtime이 없음) 문제입니다. 웨이퍼의 원치 않는 성장에 대한 이전 의견에서 언급했듯이. 연속 공정을 위한 실험 설계에 대한 제안이 있습니까?
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음@에릭_왕 그림은 완벽합니다. 분할 플롯과 스트립 플롯을 정확하게 표현하는 방법입니다. 분할/분리 플롯 설계가 필요한 조건에 대해 생각하는 다양한 방법이 있습니다. 우리는 변경하기 어려운 요소에 대해 이야기했습니다. 또 다른 방법은 귀하가 제안한 대로 "실험적 치료를 받는 것은 무엇입니까?"라고 묻는 것입니다. 귀하의 예에서 개별 웨이퍼는 코팅 처리를 받는 반면 웨이퍼 배치는 오븐 온도 처리를 받습니다. 첫 번째 경우 실험 단위는 웨이퍼이고 두 번째 경우 실험 단위는 웨이퍼 배치입니다. 둘 이상의 서로 다른 크기의 실험 단위가 있을 때마다 분할도(또는 그 변형 중 하나)가 필요합니다.
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음@에릭_왕 가장 쉬운 방법은 대기 시간을 공변량으로 처리하고 이를 실험 요인과 함께 예측 변수로 포함하는 것입니다. 나는 고객이 프로세스 1과 2 사이의 시간을 최소화하는 것을 선호하고 그것을 실험적 요소로 사용하고 싶지 않을 것이라고 생각합니다.
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음
고맙습니다, @DonMcCormack . 대기 시간을 최소화하기 위해 공변량을 추가하도록 제안하는 방법은 시간을 절약하기 위해 효율성 설계를 얻는 좋은 아이디어입니다.
그러나 이 실험에서는 정확한 두께(응답)가 가장 중요하기 때문에 대기 시간 동안 웨이퍼의 성장이 부정확한 두께 측정으로 이어질 것을 우려했다.
전제로, 정확한 결과를 얻기 위해 언급된 분할 플롯 설계를 사용하도록 제안해야 합니까?
Re: DOE에서 질문을 설정하는 요소를 변경하기가 쉽지 않음@에릭_왕 웨이퍼는 두 공정 단계 모두에서 배치로 실행되기 때문에 분할 플롯 설계가 필요합니다. 대기 시간은 사실 이후에 데이터에 추가되는 정보입니다. 실험자가 제어하지 않습니다. 웨이퍼 처리 시스템에서 수집한 데이터에서 추출할 수 있습니다(예: 프로세스 2의 시작 타임스탬프 – 프로세스 1의 종료 타임스탬프).
