Nivel: intermedio
John Como, ingeniero de procesos, Intel Corp.
En la fabricación de semiconductores, las máscaras se utilizan para imprimir patrones en obleas en el proceso de litografía. Las dimensiones del patrón en las máscaras de 6 "son 4 veces más grandes que el patrón impreso en las obleas de 12", por lo que se imprimen múltiples matrices en una sola oblea. Un solo defecto en el patrón de la máscara puede causar una mala matriz repetida y costar millones a la empresa fabricante, por lo que es imperativo que se encuentren y caractericen los defectos de la máscara. Muchas veces, las máquinas de inspección de máscaras usan un sistema de coordenadas diferente al de las máquinas de inspección de obleas, y las distancias lineales en la máscara son 4 veces más largas que las distancias en las obleas. Si se encuentra un defecto en la máscara, se debe realizar una tediosa conversión de la máscara a las coordenadas de la oblea para verificar si hay un efecto. Esta aplicación interactiva escrita en JSL simplifica la conversión de coordenadas de un sistema a otro e incluso crea una imagen de la máscara, la oblea y la ubicación del defecto para facilitar la comparación con los datos del mundo real. Esta presentación cubrirá las matemáticas detrás de las conversiones y mostrará cómo se usó JSL para crear una aplicación para simplificar el cálculo.
