A Visual Wafer to Mask Coordinate Converter アプリケーション (2019-US-30MP-182)レベル: 中級
Intel Corp. プロセス エンジニア、John Como 氏
半導体製造では、マスクを使用して、リソグラフィ プロセスでパターンをウェーハに転写します。 6 インチ マスクのパターン寸法は、12 インチ ウエハーに印刷されたパターンよりも 4 倍大きいため、1 枚のウエハーに複数のダイが印刷されます。 マスク パターン上の 1 つの欠陥が不良ダイの繰り返しの原因となり、製造会社に数百万ドルのコストがかかる可能性があるため、マスクの欠陥を見つけて特徴付けることが不可欠です。 多くの場合、マスク検査機はウエハー検査機とは異なる座標系を使用し、マスク上の直線距離はウエハー上の距離の 4 倍になります。 マスク上に欠陥が見つかった場合、影響があるかどうかを検証するために、マスクからウェーハ座標への面倒な変換を行う必要があります。 JSL で記述されたこの対話型アプリケーションにより、ある座標系から別の座標系への変換が簡単になり、実際のデータと簡単に比較できるように、マスク、ウェーハ、および欠陥の位置の画像も作成されます。 このプレゼンテーションでは、変換の背後にある数学について説明し、JSL を使用して計算を簡素化するアプリケーションを作成する方法を紹介します。
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