ビジュアルウェーハからマスクへの座標変換アプリケーション（2019-US-30MP-182）レベル：中級
インテルコーポレーション、プロセスエンジニア、ジョンコモ
半導体製造では、マスクを使用して、リソグラフィプロセスでパターンをウェーハにインプリントします。6 "マスクのパターン寸法は、12"ウェーハに印刷されたパターンの4倍大きいため、複数のダイが1つのウェーハに印刷されます。マスクパターン上の単一の欠陥は、繰り返し不良のダイを引き起こし、製造会社に数百万のコストをかける可能性があるため、マスク欠陥を見つけて特性評価することが不可欠です。多くの場合、マスク検査機はウェーハ検査機とは異なる座標系を使用し、マスク上の直線距離はウェーハ上の距離よりも4倍長くなります。マスクに欠陥が見つかった場合、効果があるかどうかを確認するために、マスクからウェーハ座標への退屈な変換を行う必要があります。JSLで記述されたこのインタラクティブなアプリケーションは、座標をあるシステムから別のシステムに変換することを簡単にし、実際のデータと簡単に比較できるように、マスク、ウェーハ、欠陥の位置の画像を作成します。このプレゼンテーションでは、変換の背後にある数学について説明し、JSLを使用して計算を簡素化するアプリケーションを作成した方法を紹介します。
