<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=UTF-8" />Dimensiones de dificultad añadidas: Análisis de imagen y visualización 3D en JMP
Hay una constante en la vida moderna. No, la muerte y los impuestos no cuentan. Esa constante es el deseo de la sociedad de tener un mejor rendimiento y aparatos electrónicos de menor precio. Es un problema del primer mundo, sin duda, pero la mayoría de nosotros parece que lo tenemos. Uno de los resultados de esta demanda del mercado es que los procesos de fabricación de semiconductores y MEMS ahora están manipulando la materia a una escala casi atómica. Este es un ejercicio no trivial. Para complicar aún más las cosas, los dispositivos han comenzado recientemente a pasar de las configuraciones planas en 2D a las configuraciones de circuitos apilados en 3D. Este cambio ha permitido mejoras en el rendimiento sin una reducción dimensional adicional, a costa de una complejidad de fabricación adicional.
El cambio a la fabricación en 3D ha impactado muchos aspectos de la ciencia de medición y el análisis de defectos. El análisis de defectos, en particular, ha pasado de ser un problema de superficie donde generalmente se considera que los defectos enterrados no son importantes a un problema donde se deben considerar los defectos en todas las dimensiones espaciales. Esto significa que su mapa de defectos promedio no lo va a cortar mucho más. Necesitamos algo mejor. Este trabajo examinará el uso de técnicas de agrupamiento espacial y visualización multidimensional en JMP utilizando conjuntos de datos producidos por dos sistemas de medición modernos con capacidad de imagen en 2 y 3 dimensiones. Estos sistemas de medición son microscopía acústica de barrido e imágenes de difracción de rayos X.
